Как поднять электронику России.

Уважаемый Дмитрий Олегович, 24 мая в интервью вестям, говоря о состоянии радиоэлектроники, Вы высказали потрясающую идею, смысл которой сводится фактически к тому, чтобы восстановить электронику. Но надо чётко осознавать, что в рамках существующей (определяющей) технологической парадигмы (плёночной, наноплёночной) Россия навсегда отстала от мира. Не получается и не получится купить, как Вы выразились, 5-6 шедевров (в данном случае - классных заводов). А всю электронику-махину не укупишь, да и не продаётся. Выход должен быть в другом - надо найти новую парадигму. И она сегодня есть! Это - технологии полупроводниковых квантовых точек. Они, как хорошо известно, обладают необходимыми и достаточными фундаментальными для электроники свойствами - излучать, принимать и хранить электроны; излучать и преобразовывать фотоны при фотонном и электронном возбуждении. Технологии изготовления и использования квантовых точек до безобразия просты. А результаты могут быть на самом высоком уровне. 20 лет люди занимаются квантовыми точками (КТ). Работают несколько мощных команд. Например, в Лос-Аламосе есть мощная национальная лаборатория, которая целенаправленно занимается КТ. Несколько групп занимаются КТ и в России. ФизТех-овская (Алфёровская) – А3В5 в виде нановыступов, сделанных литографией на эпитаксиально слоистой пластине, зеленоградские группы. Несколько групп (МГУ, ФИ РАН, СГУ) занимаются коллоидными КТ А2В6, размещёнными в пробирке. Установлены основные специфические свойства КТ – кулоновская блокада и кулоновская лестница, низкополевая эмиссия, потенциальная яма для электрона (элемент одноэлектронного транзистора), люминесценция по модели экситона Бора, плазмонные явления, нелинейные оптические эффекты (лазерная генерация). Нарисованы глобальные перспективы их применений в наноэлектронике, оптоэлектронике, медицине. Практические результаты, однако, весьма и весьма скромные. Если сказать прямо, нет пока ни одного прибора, напрямую использующего указанные свойства КТ. Принципиальной причиной, как это ни банально прозвучит, являются сверхмалые размеры КТ – менее 10 нм. Это плохо с практической (технологической) точки зрения, но, главное, в таких размерах не проявляются полупроводниковые свойства (они тоже имеют размерный характер, примерно 10 размерных параметров «работают» в полупроводниковых приборах), которые, как хорошо известно, лежат в основе абсолютно всех приборов микроэлектроники. Предварительный анализ привёл к идее, найти полупроводники, на основе которых КТ могут иметь большие размеры. Это всего только два полупроводника – узкозонные антимонид и арсенид индия. Путём прямых измерений характеристик эмиссии и инжекции электронов на микрозёрнах (поштучно) этих материалов, с помощью туннельного микроскопа, нами показано, что основные эффекты КТ проявляются в размерах порядка 1 мкм. (есть наши публикации, в которых это доказывается). Если всё это так, появляется реальная возможность иметь гамму приборов полупроводниковой микро(нано)электроники. Первое направление, которое при этом будет – приборы генерации электромагнитных излучений в широком спектре – от ТГц до рентгена. Проблема эта в практическом плане, как известно, фундаментальная и суперперспективная. Можно утверждать, что обсуждаемая здесь тема имеет для полупроводниковой науки и техники глобальный характер, подобно тому, что 50 лет назад сделали гетероструктуры. Фактически речь идёт о создании системы в стране для становления и развития нового направления электроники – эмиссионной микро(нано)электроники. Думается, что ИРЭ, ФизТехГУ, СГУ, СГТУ, индустриальный парк «Рефлектор» вполне могли бы стать (локальной) системой в части оптоэлектроники. Микроэлектроникой на КТ занимается зеленоградское предприятие НИИ ФП, но их надо несколько переориентировать.